【赚周年币】技术帖Week2-Day3——LPC824 Lite之十、SPI FLASH测试

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        【赚周年币】技术帖Week2-Day3——LPC824 Lite之十、SPI FLASH测试

        前几天，想把Nokia5110 LCD屏，从IO模拟方式，改到SPI。苦苦折腾了3、4个小时没能成功。正好LPC824 Lite上有SPI Flash W25Q32，那么先测试一下SPI Flash，或许能找到点殊死马迹。说测就测，开整。

        使用YL-LPC824光盘资料.rar中程序模板，打开工程“YL-LPC824光盘资料\SDK\peri_example\spi\spi_flash\project_spi_basic.uvoptx”。
        

        直接编译，生成“spi_basic.bin”文件。把这个文件，直接拖到LPC824 Lite板卡在本地自建的MBED 模拟盘中，直到“spi_basic.bin”文件自动消失，表示程序下载成功。
        

        仿真运行程序，在197行处设置断点，并且添加WrBuf、RdBuf到Memory1、Memory2查看窗口。
        

        全速运行程序，直到断点处停下。可以看到WrBuf、RdBuf数据为00到09的16进制数。这是因为程序中设置了BUFFER_SIZE 为10，因此只测试10个数据。
        

        程序过断点后，板上LED灯，由只亮LED1，变为LED1和LED3同时亮，绿色通信指示灯LED10，高频度闪烁。这个板上LED与原理图上是对不上的。板上的LED9到LED11，对应原理图中的D1到D3，从颜色和电阻可以区分出来，LED9到LED11分别又叫LED_RED、LED_GREEN、LED_BLUE；板上的LED1到LED8对应原理图中的D7到D14，又分别叫LED0到LED7。反正是乱七八遭的。
        
        
        借用网上的一张晒板图
        

        本着怀疑的态度，以为10字节测试不足以说明问题，试着改到512字节。第39行，宏定义改为512
        

        相同的方法测试，编译、仿真、打断点、设内存观察窗口、全速跑。当程序跑到断点时候，惊奇的事情又发生了。前256个字节，写、读缓存数据相同，后256字节出了问题，没有读回来，全是0xff。
        
        
        那么到底问题出在哪呢，经验告诉我们，很有可能问题出在了“写”的过程中。定位到w25x32.c文件的191行，这个段写程序上，查看一下它的原始函数是怎么写的。
      
       查看原函数，参数类型是对的。但是函数里面，总感觉哪不对，有点太简单了。SPI Flash 块、扇区、页，最基本的应该是页呀，怎么也得找到个跨页的写吧，但是这里没有，当然我也不会加。
      

        于是乎，往下看程序，突然眼前一亮，在第215行，找到个函数。flash_write_data()，这个可以跨扇区写，那么当然跨页也不成问题吧。
      

        于是把主程序中用到的flash_write_sector()函数替换为flash_write_data()。
      
      
        再次编译、打断点仿真运行，直到断点处停下来，观察内存窗口。这次结果全部正确。
        

        这个flash_write_data()函数，底层实际也是跨页写的，而不是直接就扇区。尽管调用了扇区写，但是把数据长度限定在页长度256字节之内。那么要改flash_write_sector()扇区写的话，也不外乎是再套一层，把一次连续写入长度限定在256字节之内。那么也就没必要去改程序了，直接用flash_write_data()即可。

        真是不试不知道，一试一堆坑呀。
        把修改后的测试主程序，打包附上。
         main_spi_basic.rar (2.59 KB, 下载次数: 9)

2017-1-11 01:05 上传

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