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在人工智能、云计算和大数据等前沿技术的驱动下，不论是普通消费者还是企业级客户，对于存储的需求是愈加强烈。而传统存储技术相对滞后的发展速度显然已经很难满足现实的需求，市场急需新一代存储技术的出现。 当前在下一代存储芯片的研发当中，除了Intel、镁光基于PCM相变存储技术研发的3DXPoint芯片之外，最知名的恐怕就是ReRAM芯片了。
ReRAM是一种以电阻值来记录数据的非易失性存储器，具有单位面积容量大、读写速度快特性，而对此研究了好些年的Mobiveil联合Crossbar将会推出基于ReRAM技术的SSD，为存储市场增添新活力。
 关于ReRAM技术
在当今存储的所有数据中，有90%是在过去两年内生成的。数据生成及对数据的快速访问已经成为现代用户体验不可或缺的一部分，这也将在可预见的未来继续推动存储需求的迅猛增长。然而，当目前的平面NAND闪存被一步缩小光学尺寸时，就会达到物理和工程极限。而象Crossbar的ReRAM这样的下一代非易失性阻变式存储器，就不会有这些限制，它将可以提供高性能、大容量的新型存储器。
ReRAM代表电阻式RAM，是将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身的新一代存储技术。换句话说，即便是在电源关闭的情况下存储器仍能记住数据。如果ReRAM有足够大的空间，一台配备ReRAM的计算机将几乎不再需要载入时间。
一个典型的ReRAM单元具有一个转换材料，介于具有不同的电阻特性的两个金属电极之间。ReRAM的转换效应基于在电场或热力影响下的离子的运动以及转换材料存储离子的能力，而这反过来又会影响电阻测量的精度。
CrossbarReRAM技术的存储介质是包裹绝缘性非晶硅（a-Si）的金属丝。其基于电子场的转换机制使得Crossbar ReRAM单元能够在较广的温度范围内稳定工作。
CrossbarReRAM的单元结构简单，所采用的材料、工艺步骤和制造工具都是通用的，这使得任何一家半导体代工厂都能够通过得到Crossbar ReRAM技术授权的方式来开展内存业务，制造存储级内存芯片。
它的主控开发也异常简单，现有的Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3/4主控可以很好地适应ReRAM架构。
不过Mobiveil、Crossbar表示ReRAM SSD并不是要革现有SSD的名，因为它至少短期内不是民用消费级，而是面向商业应用方案，因为目前来看ReRAM SSD虽然性能指标一流，但制作成本非常高，甚至比NV-DIMMM更为昂贵，就像是Intel的傲腾都是在亏本在卖。
所以Mobiveil与Crossbar将ReRAM的销售方向、潜在客户都与Intel 3D XPoint闪存硬盘Optane相同，并在积极开发能够平衡价格与性能的产品，带动公司的继续发展。
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发表于 2017-9-30 09:39:42
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