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瑞萨携手台积电开发用于MCU外包的40nm闪存混载技术

2012年06月29日 作者: 暂无评论 270+ 0

继长期亏损的SoC之后,瑞萨又加快了利润最高的MCU的外包制造。该公司于2012年5月宣布,将与台积电(TSMC)合作开发40nm工艺的闪存混载MCU制造技术,并委托台积电生产。

瑞萨携手台积电开发用于MCU外包的40nm闪存混载技术

车载MCU也将成为外包对象。瑞萨表示,到2016年度将把半导体整体的外包生产比例由2011年度的15%提高到30%。

目的在于制造技术的授权

瑞萨与台积电合作的目的在于将已在MCU业务中构建的生态系统扩展到SoC领域。瑞萨2011年的MCU市场份额为27%,车载MCU的份额高达42%,已经建立了软件开发环境等生态系统。但瑞萨对SoC设计环境的影响力不是很高。因为SoC的设计环境大多不是以瑞萨的制造技术为前提,而是以TSMC等代工企业的制造技术为前提构建的。

因此,此次合作将把40nm工艺闪存混载技术作为台积电制造技术的菜单之一。基础的CMOS技术将使用台积电的40nm工艺技术,在此基础上追加瑞萨自主的SG-MONOS(split-gatemetal-oxide-nitride-oxide-silicon)型闪存混载技术。如果该制造技术能够被台积电的客户广泛使用,瑞萨很可能还能获得SG-MONOS技术的授权收入。

日本国内工厂进一步空洞化?

虽然日本企业的SoC业务相继出现因承受不了巨额设备投资而转为外包的情况,但要求高品质的车载MCU等以前一直被认为难以实施外包生产。“情况因东日本大地震而发生了变化”。

瑞萨生产MCU的主力工厂——那珂工厂受灾,产品供应欠账的情况持续了大约半年。结果,“以汽车厂商为首的很多客户要求不仅在日本国内生产,还要在海外进行多元化生产”。

地震以后,瑞萨就针对200mm晶圆生产线生产的0.15μm工艺以前的MCU,构建能由美国GLOBALFOUNDRIES公司多元化生产的体制。2011年底,瑞萨决定将300mm晶圆生产线生产的90nm工艺闪存混载MCU委托给台积电生产。

此次进一步就40nm工艺产品与台积电展开合作。由台积电生产的MCU的供货时间方面,90nm工艺产品为2013年度,40nm工艺产品为2014年度。

由此可见,瑞萨与台积电合作是为了实现多元化生产,瑞萨还将继续坚持自主生产。90nm工艺产品将在鹤冈工厂生产,40nm工艺产品将在那珂工厂生产。不过,可以认为半导体外包生产完全有可能以此为契机进一步加快步伐。

如果要求高品质的车载MCU等产品也能够外包生产,那么在更多的半导体产品上利用低成本的代工企业将成为一种趋势。今后,日本国内工厂有可能进一步空洞化。

另外,部分报道称瑞萨将把鹤冈工厂出售给台积电,瑞萨对此不予置评。

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