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科锐推出适用于GaN 无线射频器件的全新Verilog-A非线性器件模型

2012年07月20日 作者: 暂无评论 247+ 0

 加速GaN在4G/LTE电信基础设施领域的采用

科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出适用于 GaN 无线射频器件的全新Verilog-A非线性器件模型,该模型专为安捷伦的 ADS 以及 AWR 的 Microwave Office 等领先无线射频设计平台而研发。全新器件模型能够支持更为复杂的电路仿真,包括最新宽带调制包络分析和4G 蜂窝通信的多模式无线射频功率放大器。

科锐无线射频(RF)及微波部门总监 Jim Milligan 表示:“新型器件模型能够使得无线射频设计工程师通过谐波平衡预测非线性性能、进行瞬态分析以及使用真实环境中的任意调制信号进行科锐 GaN HEMT 器件的包络模拟。Verilog-A 模型和包络模拟器能够帮助设计师研发高效率电路,如 Doherty 放大器,从而改进相邻通道功率比、频谱再生以及误差矢量幅度,同时评估放大器的性能是否满足 LTE 资源配置的光谱需求。新型模型还具有多核处理器的优势,因此可大幅减少模拟时间。”

科锐射频业务发展部经理 Ray Pengelly 表示:“瞬态分析能够深入洞察开关模式功率放大器的构造,这种放大器也可以直接通过数字信号驱动。并且与 Chireix 反相相位法相结合,效率证实可超过70%。”

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