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3D QLC闪存时代,20个ECC校验位绰绰有余

2018年01月16日 作者: 暂无评论 488+ 0

SLC的固态盘在如今的市面上已经是凤毛麟角,MLC也越来越少,TLC开始成为市场的绝对主流。1月15日,TheReg撰文,谈到了QLC闪存的未来和3D NAND之间的关系,还是非常有趣的。QLC顾名思义,就是4bits Cell,电信号存储的密度更高。其实早在2009年,SanDisk(闪迪)就试图用43nm工艺制造QLC闪存,但因为错误率奇高,不得不放弃。

错误率是Flash闪存一座不可避免的大山,通常的处理方式是主控中加入ECC校验技术,即在数据位中插入校验位。

说到这里你就明白了,数据位越少,出错率必然越低,所以从存储方式上,SLC必然是最扛用的,其次是MLC、QLC……

同时,工艺也是如此。制程越先进,ECC校验位就要增多,纠错难度就越高。

而闪迪之所以搞不定错误率这个问题是因为当时3D NAND还没发展起来,基于43nm工艺的2D平面来做校验,要想数据达到一定的准确率,要不容量很小,要不成品尺寸巨大。

而随着3D NAND的成熟,TLC甚至QLC的未来突然豁然开朗起来。由于3D构造方式的优势,浮栅周围形成一圈作为支柱通道,面积增加3倍,所以30nm做出了90nm的效果,纠错难度大大下降。PLC001

如图所示,同样是15nm级别,MLC闪存只需要50个ECC校验位,而TLC则需要多达75个。

可在3D QLC闪存时代,20个ECC校验位都绰绰有余。

Objective Analysis的专业人士Jim Handy撰文指出,所以,他说PLC闪存(5bits/Cell)是必然,因为一个最显而易见的事实是,原来1TB QLC SSD立马增大到1.25TB,届时的1元1GB才会有可能。

原文地址:http://www.eeboard.com/news/4bit-qlc5bit-plc/

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   aibanwang

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