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早知道,囤点内存条就好了

2017年10月26日 作者: 暂无评论 543+ 0

近段时间以来,DIY市场振动不断,从显卡到内存,从硬盘到CPU,各条产品线在价格上都出现了较大波动。从暑假期间的“挖矿”引发显卡价格疯长,到如今英特尔全新八代CPU发售引发的CPU全行业缺货,无一不让普通DIY用户苦恼,为何每当要装机时,各种硬件都在涨价呢?
       当然除了这些偶然因素引发的DIY硬件涨价外,从去年第三季度开始一路疯涨的固态硬盘,以及进而引发的内存产品在内的全系存储产品的价格狂飙。
      特别是当看到一年前,还仅仅只卖不到200元的8GB内存条,现如今居然卖到了800、900元的高价时,更是让笔者在内的DIY忠实爱好者,不禁感叹,“早知道,囤点内存条就好了”。

ddr1

存储产品在疯狂涨价一年后,并没有降价的迹象,究其原因,业界其实早有定论。无外乎,闪存颗粒缺货。那么闪存颗粒的缺货为什么会导致存储产品的长久性的涨价?闪存颗粒到底又是何物?存储产品和闪存颗粒又有哪些联系?下面,笔者就从此次存储产品涨价风波出发,和大家一起谈谈闪存颗粒那些事。

存储颗粒决定产品成本

所谓闪存颗粒,通常都简称为闪存。 它其实是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据,而且是以固定的区块为单位,而不是以单个的字节为单位。
       同时闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据,因此不能取代RAM;但是在工艺上,无论是闪存颗粒、还是内存的DRAM颗粒,亦或是手机内存 RAM颗粒,甚至是显卡产品上的显存颗粒,都是大同小异的,都是在通过晶圆厂商的切割后,在不同组装线上进行精细化的加工合成。
       回到闪存颗粒上,由于闪存具有非易失性(即断电后还能保存数据的特性),以及具有稳定性、高性能、小体积等诸多优点,成为了当下存储产品首选存储原料。
       所谓“固态硬盘”名称的由来,也是源于闪存颗粒远优于传统机械硬盘中机械磁盘的坚固牢靠等特点。可以说,固态硬盘的出现和大发展,大部分要归功于闪存技术的发展和革新,因而固态硬盘内部的绝大部分成本,或者说存储产品内部的绝大部分成本都取决于存储颗粒。

闪存颗粒的技术和发展现状

由于闪存颗粒在当代对于存储产品的重要性,根据其内部电子结构不同,全球闪存产品主要有三种,SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)以及TLC(三层存储单元),此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。
     SLC(单层式存储),单层电子结构,写入数据时电压变化区间小,寿命最长,但是造价昂贵,多用于企业级高端产品。
     MLC(多层式存储),使用高低电压的而不同构建的双层电子结构,寿命相对较长长,造价可接受,多用民用高端产品。
     TLC(三层式存储),是MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell。存储密度最高,容量是MLC的1.5倍。 造价成本最低, 使命寿命相对较低,性价比高,是当下主流厂商首选闪存颗粒。

ddr2

除此之外,近年来部分存储巨头,甚至已经在研发拥有四层存储单元、更高的存储密度的QLC闪存颗粒。当然,除了在平面上进行单个晶圆内部的存储容量的研发外,更加成熟、更加激进的研发方向其实是在3D立体存储容量上的革新,即3D NAND闪存技术。
      所谓3D NAND闪存技术,其实就是在原本只有两个方向即平面上进行颗粒排列的晶圆上,通过技术手段,进行颗粒的叠加,即在垂直方向上进行多个颗粒的堆叠,以实现单个晶圆的存储容量的大规模提升。
     可以简单理解为,2D NAND技术就如同在一片空地上建造平房,但是空地面积是有限,超过空地总面积,也无法建造新的平房,而这些平房就可以理解为存储空间。相对应的3D NAND技术就像是同一片空地上建造楼房,理论上可以无限延伸内部空间,即使空地面积完全建完,也可以通过提高楼房的高度,创造新的空间。
      如今,闪存行业,比较成熟和性价比高的技术依旧是64层3D NAND技术,在今年年底72层3D NAND技术应该可以实现较大的突破,甚至实现大规模量产,更有甚者部分领军企业已经在研发96层以及更高堆叠层数的3D NAND颗粒了。

存储产品涨价的内外因分析

在了解了相当多的闪存知识之后,我们可以再回过头来,一起聊聊存储产品为何会出现如此的暴涨。核心原因,以闪存颗粒为代表的原材料缺货,这里不单提闪存颗粒,是因为内存等产品其实是DARM颗粒的缺货,以免引发争议,其实本质上二者的原料和工艺相差不大。
      那么闪存颗粒等原材料为何缺货呢?一聊到这里,不少热心网友一定会热血沸腾、煞有其事的说到,“肯定是三星等闪存厂商背后操纵产量,引发缺货,价格上涨”。
      对于此,笔者不发表任何态度,对于阴谋论,什么时候都会有,任何事件都会有人提,在这里笔者仅仅说说个人看法。闪存颗粒等原材料(包括内存DARM颗粒)的原因,主要有两个,也可以说是两方面。一方面是内因,另一个是外因。
       内因是,晶圆技术不够成熟,良品率不高,导致供不应求。以闪存颗粒技术为例,在去年三季度固态硬盘价格疯涨最厉害的时间段,东芝、三星等主要闪存厂商都在加紧研发64层3D NAND技术,可不幸的是研发的结果不容乐观,良品率相当低下;
       不仅不能按照原计划上市基于64层3D NAND技术的全新固态产品,而且原有的48层3D NAND产品线也为了给64层3D NAND产品线让道而无法继续再生产,导致固态硬盘产品在去年三季度价格暴涨,直到今年年中64层3D NAND产品线的成熟才勉强涨停。
       然而,随着需求的提升,来到今年三季度,64层3D NAND已然跟不上市场需求,72层3D NAND技术的成熟与否,则会决定下一年固态硬盘产品的走向。
      外因则是,手机等产品线对于大容量存储颗粒的旺盛需求,以及手机厂商极大地利润率带来的高议价能力,让主流的晶圆厂商更加乐意为手机等新兴产品线提供原材料以及存储颗粒,相对应的分配给传统存储厂商的原材料及存储颗粒的大幅减少,自然而然的导致成品的缺货,价格大涨。

暴涨后必然回归正常

在内因和外因的双重影响下,存储产品价格的疯狂上涨也是可以理解的。那么,这种疯狂上涨是否会一直持续下去呢?
       正所谓,“月盈则亏 月亏则满”,市场规律下任何产品都会经历高峰和低谷。此次存储产品的疯狂涨价,只是存储行业的周期性波动,和以往任何一次存储业界的价格波动一样,在持续疯涨后一定会迎来回归。
      原因也有二,一是随着手机等新兴产业的拐点到来,对于存储颗粒等井喷式的需求降低,手机厂商的议价能力和利润率的双降,主要的闪存厂商的大规模供货还是会回归到传统的硬件存储市场。
      其二,技术的研发总是越来越快,成熟度和良品率也会越来越高,造价也会越来越低;偶尔一次的研发不理想并不会影响整个产业发展和技术研发。综上所述,在当下存储产品暴涨风暴中,无论是作为DIY发烧友,还是普通玩家,都应该以正常心态应对,特别是有着攒机需求的朋友,还是应该根据自己的真实需求进行合理攒机。

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