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东芝陷入僵局 中国是否可以借此实现3D闪存芯片国产化?
2017年08月14日 作者: 暂无评论 149+ 0

东芝

东芝与西数“友谊的小船”彻底翻了

8月3日,东芝公司宣布,公司将在没有合资公司伙伴西部数据参与的情况下,自主推进投资建立新存储芯片生产线的计划。这也意味着东芝和西数数据未能就投资事宜达成一致。

近些年,电子设备配置的闪存越来越多,闪存逐步淘汰电脑中的机械硬盘,这使得闪存成为一种朝阳业务。作为全球闪存的发明者和领先企业,东芝在市场份额上,仅次于三星电子名列全球第二。使得东芝闪存业务成为科技巨头争抢的“香饽饽”。

然而,此前东芝曾出售自己的芯片部门以弥补巨额亏损,没想到此事却成为东芝与合西部数据产生隔阂的原因。

东芝自主生产线将主打3D芯片

据悉,东芝新的生产线将通过下一代的3D技术生产储存芯片,预计将于明年夏天正式启用。而在今年年初也有消息称,该生产线1期将于2018年夏天竣工。东芝方面称,他们将致力于提升3D闪存芯片的使用占比,争取在2019年3月前,将该芯片的占比提升至90%左右。

由于在存储芯片堆叠时使用了IBM的过孔硅技术,相同面积的3D闪存芯片将获得10倍于传统芯片的存储容量。同时,传输数据消耗的能量将减少70%,传输速度也将提升到标准DDR3芯片的15倍左右。

国产3D闪存2019年实现量产

目前,国内在用的存储器芯片几乎全部依赖进口。不过,近年来我国一直把3D闪存芯片作为发展芯片行业的重中之中,而国家存储芯片基地更是在万众瞩目下迅速壮大。

据悉,由紫光主导的长江存储最快将在2017年底正式推出32层堆栈结构的3D闪存芯片。2019年,将实现量产3D 闪存芯片,2020年之后,长江存储很可能在“技术上达到国际领先的存储芯片供应商的水平”。

而与此同时,武汉新芯科技(XMC)也正在武汉开工建设12英寸晶圆厂,预计将在2018年推出48层堆栈的3D闪存。

客观来看,目前国产3D闪存32层堆栈的起点已经相当可以了,三星、Hynix、东芝、美光等公司第一代3D闪存也不过是24层堆栈。不过要想进一步缩小与国外的技术差距,仍需加快技术储备推进研发速度。

原文链接:http://www.eeboard.com/news/dongzhi-4/

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