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神速!Intel 10nm不稀奇,其已经将制程工艺的研究对象推进到5nm以内了
2017年09月21日 作者: 暂无评论 97+ 0

本周对于Intel的10nm先进工艺来说,可谓坐过山车般。
       周二的精尖制造日活动,Intel大谈特谈拥有超微缩FinFET的10nm是如何先进,领先友商3年,然而昨天(周三),Digitimes从笔记本OEM厂商那里获悉,Intel突然将Cannon Lake处理器延期到2018年末。

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对此,网易报道称,Intel中国区总裁杨旭接受采访时强调,“Intel 10nm在今年第四季度就可以实现投产。”
      他同时指出,“我们现在已经有技术验证7nm到5nm都没有问题。而且我们在通过前瞻研究推进5nm以后的,比如3nm、1nm,这些当然就需要很多别的新的技术,英特尔一直在探索。”
      不过,资料显示,从物理学的角度,5nm以及之后需要解决绝缘体的问题,目前的14nm/10nm使用的是氮碳化硅硼(SiBCN),7nm使用的是氮碳氧化硅(SiOCN),但用于5nm的终极绝缘体气隙(air gap)连IBM也没搞定。
     当然,这只是一方面,EUV的光源功率、III-V材料等也都个个棘手。
      1nm都来了,看来pm(皮米)、fm(飞米)也快了。

原文链接:http://www.eeboard.com/news/intel-10nm-5/

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