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ARM IP的芯片采用Intel的22nm FFL和10nm HPM/GP工艺代工

2017年11月06日 作者: 暂无评论 587+ 0

近日消息,据外媒报道,尽管在一些领域已经有明显竞争的Intel和ARM宣布将建立广泛的合作关系。Intel

其中一个表现形式就是,基于ARM IP的很多芯片将采用Intel的22nm FFL和10nm HPM/GP工艺代工。

比如,ARM今年年中发布的Cortex-A55,已经基于Intel的22nm FFL,实验在了智能手机上实现主频2.35GHz(0.45V电压)。Intel

更令人激动的是,基于Intel 10nm HPM/GP工艺的ARM架构SoC将不迟于今年底流片。它基于的是下一代Cortex-A(A75或者更高?),实现了3.5GHz主频、0.5V电压,而单核最高功耗只有不到0.9瓦(骁龙820单个Kyro大核约2瓦)。Intel

目前,Intel的14nm已经用在展讯的x86移动芯片上,但x86制约了展讯在广泛的消费级市场大展拳脚。同时,为了进一步增加营收,Intel才在北京的“精尖制造日”上强调,代工一定会放开。

资料显示,同样是10nm,Intel表示每平方毫米可以放1亿个晶园体,台积电呢只有4800万,而三星也不过才5160万,按照Intel的说法,同概念制程领先对手3年。

原文地址:http://www.eeboard.com/news/intel-10nm-hpmgp-arm-soc/

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