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Intel/美光闪存合作宣布调整:2019年后各奔东西

2018年01月11日 作者: 暂无评论 546+ 0

Intel在官网宣布,和美光的闪存合作即将发生关键性变化。具体来说,双方会在2018年继续第三代3D NAND(预计是96层)的研发、生产合作,一直持续到2019年初。在此之后,则分道扬镳。目前,两者正就第二代64层3D 闪存进行增产工作。NAND001

Intel强调,双方都认为,独立之后,将能抽出更多精力优化自身产品、服务客户,且不会对路线图和技术节点造成影响。

至于两者最重要的3D XPoint傲腾闪存,Intel称,他们仍旧会在犹他州的Lehi工厂联合研发制造。NAND002

资料显示,12年前,Intel和美光成立了合资企业IM Flash Technologies(IMFT),孕育的首批产品是72nm NAND。

在2012年的时候,Intel把多数IMFT工厂的股份卖给了美光,而只保留Lehi这一个据点。此后,双方就开始各自兴建自己的生产线,事实上这已经可视为苗头。

AnandTech认为,Intel和美光的市场属性不同,Intel只愿意将闪存给自己的SSD用,而美光则急于参与全球竞争,把闪存卖给更多客户,尤其是手机厂商,这或许是“分手”的主要原因。

不过,对普通消费者来说,今后的市场将会更加开阔,多头竞争必然导致价格更合理,倒是好事。NAND003

原文地址:http://www.eeboard.com/news/intel-ces/

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