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英特尔你可长点心吧,三星越跑越偏了
2018年03月12日 作者: 暂无评论 169+ 0

Intel英特尔(Intel)在首度失去从1992年以来的半导体营收龙头地位后,应该采取哪些新策略来缩小其与三星电子(Samsung Electronics)之间的差距或甚至超越,成为该公司目前亟需面对的课题。

根据两家公司的年度财报显示,2017年,三星的半导体部门整体营收为691亿美元,超越英特尔的628亿美元。受惠于内存价格高涨,三星得以首度挤下自1992年以来稳居晶圆销售龙头宝座的英特尔。

由于平面DRAM面对因摩尔定律(Moore’s Law)即将终结导致的微缩限制,成本缩减日益趋缓,使得平面DRAM最终将难以满足市场需求。此外,位成长也缩小至23年来的新低点。因此,我们很难期待短期内能看到内存价格下滑。Intel

英特尔与三星的半导体营收、营运利润比较

然而,三星的营收是否会在2018年持续成长?根据DRAMeXchange,2017年的DRAM营收成长了76%,预计2018年将再成长30%以上。如果我们假设在2018年的DRAM营收成长将为三星的半导体部门带来至少20%的营收增加,而英特尔的营收也像在2017年一样稳定成长7%,那么英特尔在半导体领域的主导地位终将成为历史。

Intel正如DRAMeXchange的预测,如果2018年DRAM销售成长超过30%,那么三星半导体营收将持续快速成长。

那么,英特尔的下一步应该怎么走?作为追随者,英特尔必须急起直追,采取新的策略来缩小差距或超越三星。

英特尔可以考虑尽可能地扩大其代工业务,使其不受任何代工策略或商业模式的限制。英特尔的代工厂必须为各种类型的客户敞开大门,为其提供具竞争力的服务成本和各种IP。由于英特尔一向拥有最好的技术,因此英特尔的代工厂可望在短时间内发展成为盈利业务。

另一项建议是英特尔与三星在内存市场直接展开竞争。英特尔长久以来经营DRAM业务,而且仍然拥有强大的嵌入式DRAM技术。想想3D DRAM的情况:由于DRAM厂商尚未开发出3D DRAM技术,因此它将成为改变游戏规则的变革技术。DRAM供应商采用传统的平面DRAM技术已经写下创纪录的营收和利润,然而,目前传统的平面DRAM开始面临微缩限制了。如果3D DRAM出现,肯定会为DRAM业务带来新的典范。因此,以3D DRAM在DRAM领域直接展开竞争,将会是与三星竞争的最有效方式。

尽管英特尔的非挥发性内存解决方案事业群(NSG)已经拥有创新的3D XPoint技术,但为了差异化其NFG业务有别于竞争对手,英特尔NSG还需要颠覆性的技术。如下图所示,在三星和英特尔的NAND闪存市占率之间存在着一大截差距。事实上,英特尔在NAND领域的规模并不大。尽管英特尔拥有竞争的NAND技术,但如果能从外部来源发掘新兴技术并为NSG部门导入更多创新,这对于英特尔来说是十分有利的。3D XPoint拥有巨大的潜力,但可能还需要多一点时间,才能使其具有成本竞争力。因此,研发费用和营运收入必须取得平衡。当其他NAND供应商创造利润新纪录时,英特尔的NSG也需要盈利。Intel

英特尔非挥发性解决方案事业务(NSG)在2017年的收益和NAND闪存市占率

许多人可能未曾预料到三星会在如此短的时间内超越英特尔。讽刺的是,由于平面DRAM的供应有限,摩尔定律的终结为三星带来了巨大的商机。因此,内存成为卖方市场。

尽管中国的手机制造商抱怨内存价格居高不下,中国政府正考虑DRAM固定价格的可能性,但看来内存价格高涨似乎是无法阻挡的了。如果真的像DRAMeXchange的预测,2018年的DRAM营收成长超过30%,那么三星将更进一步拉开与英特尔的距离。传统上,英特尔和三星之间的业务很少重迭。但为了重新夺回冠军宝座,英特尔有必要与三星直接竞争内存和晶圆代工市场。英特尔势必得尽快采取新策略。

原文地址:http://www.eeboard.com/news/intel-133/

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