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MEMS的未来究竟何去何从?
2017年12月07日 作者: 暂无评论 115+ 0

MEMS是近年来半导体领域中成长最快速的技术之一,那么如何准确预测MEMS的未来?A.M. Fitzgerald and Associates LLC创办人Alissa Fitzgerald分享对于MEMS未来发展的乐观看法,并预测将改变游戏规则的先进技术...

在国际半导体产业协会(SEMI)看来,微机电系统(MEMS)技术在近几年来的半导体领域中成长最快速,那么如何准确预测MEMS的未来?在了解MEMS组件的历史,并查阅有关MEMS最具创新性的500篇学术论文后,MEMS设计与开发公司A.M. Fitzgerald and Associates LLC创办人Alissa Fitzgerald在今年的MEMS与传感器高峰会议(MEMS & Sensors Executive Congress)发表演说时分享对于MEMS未来发展的乐观看法与预测。

Fitzgerald 认为,“下一个十亿美元的产品就潜藏在大学的研究文献中。”2017年的学术论文中揭示了有关被动式和近零功耗(near-zero)的传感器,以及基于纸类和塑料的方案取代昂贵硅基方案作为消费应用和一次性使用的特殊产品等最新进展。

A.M. Fitzgerald对于MEMS的未来发展成竹在胸,他们致力于将新颖的学术和创业想法应用到小型MEMS晶圆厂中,并使其从中受益,就像使用Soitec的商用硅和绝缘层上覆硅(SOI)晶圆的Rogue Valley Microdevices (RVM)公司一样。MEMS

MEMS设计与开发公司A.M. Fitzgerald & Associates创办人Alissa Fitzgerald在SEMI 2017年度MEMS与传感器高峰会议上发表演讲

Fitzgerald在演讲时谈到了MEMS技术的历史渊源,最早可以追溯到1980年代酸蚀刻三维(3D)力传感器的发展,这致使Kurt Petersen发明了基于块状硅微加工技术的压力传感器。该压力传感器最终实现了喷墨喷嘴,并促使数字光处理(DLP) MEMS的出现,很快地也有了第一家厂商使用来自ADI的加速度计触发安全气囊,这比传统的管内球机械绊网式技术更迅速。

“从那时起,博世(Bosch)的深度反应离子刻蚀(DRI)制程开启了一个全新时代,实现了世界上第一个MEMS陀螺仪。薄膜体声波谐振器(FBAR),以及MEMS压电和氮化铝(AlN)薄膜的广泛使用,也催生了我们今天拥有的各种MEMS组件。”

Fitzgerald说,另一个重要的发明是“精确对准的共晶接合(eutectic bonding),使InvenSense能够将自家的ASIC晶圆接合MEMS芯片,以实现自动密封,因而无需额外的封盖步骤。”MEMS

RVM创办人Jessica Gomez(右)(为A.M. Fitzgerald的设计进行生产)与Soitec业务发展总监Nazila Pautou(为RVM提供SOI晶圆)交驳光剑

据Fitzgerald表示,早期,ADI和博世等主要企业满足了50%以上的市场需求,其余400家小公司瓜分剩余市场。但随着智能手机的普及,庞大的消费市场已经使这400家小公司成为市场的主要力量。

那么所有这些消费市场的想法来自何处?Fitzgerald认为,在很大程度上可溯源至学术界,他们“在大学实验室培育创意”,作为寻找问题的解决方案。A.M. Fitzgerald等机构将学者们的想法落实于设计中,并发展成适于销售的产品,为当今全球兆级美元的消费市场提供动能。MEMS

在RVM晶圆厂中,工程师正在检测MEMS晶圆;该晶圆是A.M. Fitzgerald采用Soitec的SOI技术设计的

  

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