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Gbit MRAM芯片首度出样,闪存能闪出什么新花样呢?
2017年08月22日 作者: 暂无评论 190+ 0

chip

新的1-Gbit MRAM芯片可作为非挥发性缓冲器与编写快取,最终在SSD与闪存储存数组中找到取代DRAM的出路…

在日前举办的年度闪存高峰会(Flash Memory Summit;FMS)上,Everspin宣布开始出样Gbit MRAM芯片,并预计在今年投产采用其256Mbit芯片的1-2Gb加速卡。在FMS大会上发布这项消息,象征着在一个聚焦于主流NAND市场成长的活动中,有越来越多的持久型内存开始出现显著进展。

Everspin希望新的产品可作为非挥发性缓冲器与编写快取,最终得以在固态硬盘(SSD)与闪存(flash)储存数组中找到取代DRAM的出路。该加速卡采用Everspin推出作为开放来源的特殊Windows和Linux驱动程序,提供每秒700万次I/O作业以及低至2微秒(us)延迟的性能。

至少有另外一家公司将为Everspin的加速卡提供第二个供应来源。该公司表示目前已经有一家客户采用了这款芯片,并计划让产品在一年之内投产。

首款采用3DXP内存的SSD正开始出货,使英特尔(Intel)率先在主流储存市场推出新型内存芯片。Western Digital (WD)承诺在2020年以前推出电阻式随机存取内存(RAM),而在去年底,Spin Transfer Technologies (STT)表示将在明年出样Gbit级的产品,这让Everspin又多了一家MRAM竞争对手。

Everspin资深营销副总裁Patrick Patla指出:“将来,所有的记忆都将会是持久型的——时间可能是在5-7年后或更早,但预计具有最高容是的最高性能内存才胜出。”

chipEverspin基于MRAM技术的nvNitro加速卡 

Everspin营销总监Joe O'Hare表示,每一种新的内存类型都可能让自己所处的市场位置改观,但截至目前为止,MRAM最接近DRAM的性能。“新的接口标准联盟将会巩固这样的市场机会,因为他们让你不必使用特定的持久型内存类型,以及处理其各自不同的延迟问题。”

虽然GenZ接口预计至少要两年后才可能商用化,但Everspin在FMS大会中先行展示针对该界面的原型加速卡。同时,它也将在IBM今年稍晚推出的Power9系统上支持其OpenCAPI。

Everspin的Gbit芯片采用DDR4接口,并以Globalfoundries的28nm工艺技术制造。该代工厂授权这项技术,为采用其22nm FD-SOI工艺的客户提供嵌入式MRAM选项,预计将自明年开始。

该加速卡采用40nm 256M芯片,搭载PCIe Gen 3总线,支持NVMe接口,并将在今年年底提供U.2或半高、半长规格的PCIe卡。 迄今为止,Everspin已经出货了7,000多万张加速卡了,主要用于各种企业储存、工业和其他市场的130nm嵌入式内存。

NAND闪存仍是市场主流

NAND仍然是这场年度盛事的焦点。三星(Samsung)和美光(Micron)预计将在其专题演讲中将SSD推向新的容量高峰。去年,三星公司几乎未曾透露其Z-NAND新内存的任何细节,仅宣称其性能优于英特尔的3DXP。

至今,英特尔的Optane内存出货量有限,三星可能并未感受到什么压力。

东芝(Toshiba)预计将讨论其96层3D NAND芯片,特别是因为最近其竞争对手持续展开容量竞赛。该公司最近宣布采用硅穿孔(TSV)的NAND芯片堆栈,用于需要最高容量的大数据中心。

WD则发表每单元4位的新芯片。然而,分析师指出,下一代工艺与堆栈通常是更快速实现密度超过每单元4位封装之路。

另外,WD和东芝也陷于谁将购买东芝芯片业务的困境中;东芝的芯片业务包括与WD旗下SanDisk合资的晶圆厂。

数据中心对于NAND闪存数组的兴趣,持续推动朝向更高容量的竞赛。目前有好几种采用SSD的全新储存系统如今受到业界巨擘认可,可望成为储存领域中超越其所采用的硬盘数组之下一步。

Microsemi闪存控制器和PCIe交换机市场总监Roger Peene说:“未来九个月应该会是大量部署的爆发点,我认为这将带来相当大的机会。”

尽管今年的闪存和存储器价格普遍上涨,但Peene说:“我认为这一发展动能并不会因此而停摆。主要的挑战在于如何取得足够的供应,以满足布署的需求。”。

相形之下,他说,MRAM、ReRAM和其他的新型内存“相对较低调……毕竟这些技术尚处于起步阶段,价格仍然很高。”

这些系统称为闪存簇(JBoF),即将一大堆搭载TB级SSD的闪存装入机架式设备中。有些采用简单的PCIe交换机以及透过以太网络连接,其他的则搭载了可在嵌入式控制器或x86处理器上执行的复杂软件。

从明年开始,闪存数组预计将采用具有两个PCIe埠的SSD,并使用NVMe over Fabrics接口与PCI单根I/O虚拟化(SR-IOV)。Peene说,这些接口可以让多个系统彼此之间以及与服务器之间直接互连,从而打造虚拟储存库。

原文链接: http://www.eeboard.com/news/nand-flash/

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