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内存技术的提升,到底意味着什么?
2017年08月29日 作者: 暂无评论 540+ 0

DDR4内存在2014年推出时,其性能是DDR3内存的1.5倍,而内存接口的功耗却令人印象深刻,与DDR3内存相比,降低了25%的功耗。此外,DDR4支持每个模块的最大容量为512 GB,并且具有比其DDR3内存更多的存储空间,以及更快的循环和增加的引脚数(284),以支持更高的寻址能力。

根据IC Insights的说法,DDR4内存标准包括一些功能,可以加快内存操作,并增加服务器,笔记本和台式机,平板电脑以及各种消费电子产品的SDRAM存储。更具体地说,DDR4支持多达8个器件的堆叠存储器芯片,向存储器控制器提供单个信号负载。事实上,与DDR3内存相比,DDR4内存提供了双模块密度和双倍速度的潜力,同时降低了功耗,并延长了未来64位平板电脑和智能手机的电池寿命。 DDR4内存预计今年将成为DRAM的主导产品,其市场份额将达到58%,而DDR3内存的市场份额为39%。

DDR4

变得更好

虽然DDR4的时钟频率为1.6Gbps至3.2Gbps,但标准化机构固态技术协会(JEDEC)最近公布的下一代DRAM-DDR5内存将实现双倍的带宽,从而实现3.2Gbps至6.4Gbps的时钟频率,以满足数据中心在物联网的时代(IoT)不断增长的带宽需求。事实上,普遍连接的新时代已经产生了数字海啸般的数据,这正在推动DDR4内存突破容量和内存带宽的限制。

虽然DDR5标准制定的工作仍在进行中,但早期公开发布的信息显示出了许多进化的改进。这些包括更高的密度,新的命令结构和新的省电功能。 DDR5内存还可能引入信号均衡和纠错功能。

引入高带宽内存(HBM)是提高服务器内存性能的另一种方法。本质上,高带宽内存(HBM)通过将低延迟DRAM内存放置在更加靠近CPU的位置来支持本地可用内存。

此外,高带宽内存(HBM)通过为1024位的SoC提供非常宽的接口来增加存储器带宽。这意味着HBM2的最大速度为2Gbps,总带宽为256GB / s。虽然其比特率与2.1Gbps的DDR3内存类似,但8位128位通道为HBM提供了大约15倍的带宽。此外,与现有架构相比,四个HBM存储器堆栈邻近CPU,每个具有256GB /s(例如)的存储速率,显著地提高了存储器密度和带宽。

除了DDR5内存和高带宽内存(HBM)之外,正在部署混合DIMM技术,如NVDIMM(非易失性DIMM),以满足不断增长的内存容量和带宽需求。据JEDEC称,NVDIMM-P将为计算机系统的新型高容量持久存储器模块提供针对成本,功耗和性能优化的新内存解决方案。事实上,DIMM的持久内存使用支持超大规模,高性能和高容量数据中心的多种用例。这些应用包括减少延迟,降低功耗,元数据存储,内存数据库,软件定义的服务器RAID以及意外故障期间的处理负载减少。

应该注意的是,NVDIMM-P可以在DIMM上实现完全可访问的闪存,从而允许系统利用非易失性存储器作为附加的高速存储器。同时,NVDIMM-N旨在使闪存作为DRAM的持久存储器备份。实际上,这意味着DRAM数据本地存储在闪存上,从而在减少CPU负载的同时,并产生持久性(在停电的情况下)。

总而言之,日益相连的世界激励了行业巨头在数据中心实施和创新新架构,以消除各种瓶颈。这其中包括DDR4内存和DDR5缓冲芯片,第二代高带宽内存(HBM2)和混合DIMM技术,如NVDIMM-P和NVDIMM-N。相信存储行业厂商需要共同开发下一代存储解决方案,同时坚持以最小的变化加快当前研发速度。

原文链接: http://www.eeboard.com/news/neicun-2/

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