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牛掰了!三星全新的Vertical-NAND存储解决方案助其推出全球首款1TB手机闪存
2017年09月26日 作者: 暂无评论 115+ 0

目前 手机闪存最高规格是256GB ,但这并不是终点,因为存储厂商们还在努力把更大的容量压缩成小巧的芯片。这其中,专注于手机内存和闪存芯片的三星就要有大动作了。

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三星半导体在近期的加尼福尼亚圣克拉拉举行的闪存峰会上,展示了该公司全新的Vertical-NAND存储解决方案和技术。 三星宣布,将于明年正式推出1TB的V-NAND芯片,这是业界首款采用三维结构单芯片设计的NAND芯片。

据介绍,这款1TB V-NAND芯片将通过堆叠16个1TB模具,来使2TB存储装入单个V-NAND进行封装。三星表示,其将代表过去10年中存储方面最重要的进展之一。

为此,三星解决方案开发执行副总裁郑在宪(音译)在主题演讲时介绍称, 三星在韩国京畿道平泽市启用了全新的V-NAND芯片生产线。

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随着基于人工智能和物联网技术的行业数据密集型应用的迅速增长,闪存的作用已经成为加速提取信息并用以实时分析速度的关键。因此,全新的SSD和闪存芯片在未来将会具备更智能的解决方案,例如在机器学习和高性能表现方面。

搭载512GB存储的手机还没发布,转眼1TB闪存芯片都要来了,然而最悲伤的是小雷却还在默默使用64GB存储的手机。从现实角度来看,三星的1TB芯片虽然能够在明年发布,但安装到手机上势必会进一步提升手机的价格,因此在未来很长一段时间,其都很难普及到一般消费者身上。

原文链接:http://www.eeboard.com/news/samsung-20/

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