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三星新招:号称存储器10年最大进展,1Tb V-NAND和全新SSD标准来袭
2017年08月11日 作者: 暂无评论 115+ 0

V-NAND

1Tb 的 V-NAND 芯片容量是当前最大存储器 512Gb(gigabit)的两倍,而新的固态硬盘(SSD)标准NGSFF(Next Generation Small Form Factor SSD),将取代当前的 M.2 2242(NGFF) SSD 规格。

韩联社首尔8月9日报道,三星电子当地时间8日参加美国加州圣克拉拉会展中心举行的“2017闪存峰会(FMS,Flash Memory Summit 2017)”,并在展会上首次公开了容量高达1Tb(terabit)的3D NAND,预计明年上市。

Pulse、ZDNet、韩联社报导,三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片(即垂直堆叠的 3D NAND),容量是当前最大存储器 512Gb(gigabit)的两倍。三星将结合 16 个 1Tb 的 die,构成一组 V-NAND 组,每组存储器容量可达 2TB(terabyte),并且继续减小体积。

三星宣称,该技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一。

V-NAND三星电子1Tb 3D-NAND

1Tb 相当于 126GB,能够储存 60 部两小时的高画质电影。三星表示,许多产业发展人工智能和物联网,数据密集的应用程序大增,Flash 存储器扮演关键角色,可以加快资料抽取速度,以供即时分析。

不只如此,三星也秀出新的固态硬盘(SSD)标准NGSFF(Next Generation Small Form Factor SSD),将取代当前的 M.2 2242(NGFF) SSD 规格。三星表示 NGSFF 容量为前代的 4 倍,结合最新V-NAND还能缩小版型体积,这将最大限度地提高服务器存储数据容量,将于今年第四季量产。

V-NAND其中单面16TB的样品三围是30.5mm x 110mm x 4.38mm,当然这是极大值的情况。(source:PCPER)V-NANDV-NAND按照三星的演示,典型的服务器可以塞入36张单面16TB NGSFF SSD,总存储容量达到576TB。(source:PCPER)V-NANDV-NAND当然,相较技术、容量本身的进步,用户可能关注闪存第一厂何时能够释放更大的产能把SSD的价格降回去吧。(source:PCPER)

三星 2016 年发布 Z-SSD和Key Value SSD 技术,现在首度发布采用此一技术的 SZ985 固态硬盘,宣称可用于数据中心和企业系统,处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD 读取延迟时间为 15 微秒,大约是 NVME 固态硬盘的七分之一。Key Value SSD可让多种数据无需转换便可直接存储。V-NAND

原文链接: http://www.eeboard.com/news/samsung-electronics/

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