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台媒:依赖挖角和模仿大陆半导体行业未来将面临极大专利侵权风险
2017年08月08日 作者: 暂无评论 88+ 0

Semiconductor

过去中芯国际就曾侵犯台积电的逻辑工艺专利,至于在内存技术上,专利既多且广,美、日、韩等大厂都已累积数十年基础,未来中国大陆企业将面临新一波专利诉讼。

从技术与产品来看,许多大陆公司因为无法取得授权,只能靠挖角日、韩及台湾地区团队,想办法拼凑组合。 以DRAM为例,目前代表性公司合肥长鑫,就从南韩SK海力士、日本尔必达及台湾华亚科挖角,其中华亚科前资深副总刘大维也被延揽。

至于3D NAND Flash代表企业武汉新芯,已和紫光集团合组长江存储,技术来源就是已并入赛普拉斯(Cypress)的飞索半导体(Spansion)。 不过,双方合作传闻都还没动静,日前长江存储还发布新闻稿澄清,表示从未发表过32层3D NAND Flash 今年量产的消息,未来后续发展恐怕须再观察。

根据IC Insights 2月公布的报告,中国大陆半导体业倚赖挖角与模仿建立技术基础,是冒着极大的专利侵权风险;过去中芯就曾侵犯台积电的逻辑工艺专利,至于在内存技术上,专利既多且广,美、日、韩等大厂都已累积数十年基础,未来中国大陆企业将面临新一波专利诉讼。 IC Insights也预期,中国大陆想在二五年达到半导体自给自足目标,难度相当大。

华中科技大学微电子学院执行院长邹雪城说,中国大陆在半导体行业摸索多年,如今已找到较正确且成功的模式,在中国政府支持下,武汉已成为发展国家储存器的重镇,“这项任务既十分光荣,也十分艰巨,需要下定决心,争一口气。 ”

邹雪城目前身兼武汉国家集成电路人才培养基地主任、武汉集成电路设计工程技术研究中心主任,十多年前,他曾代表武汉与国际半导体厂进行合作谈判,也曾投票反对武汉新芯成立的必要性,原因是当时产业发展的环境与条件都不成熟,而且规模太小,还采取由中芯托管的方式,成功机会不高;不过,如今他认为环境、条件都成熟了, 因此积极推动武汉参与国家240亿美元存储器的计划。

中国科学院院士、西安电子科技大学副校长郝跃表示,他多年来与台湾半导体公司交流,对台湾地区从业人员的敬业态度印象深刻,这也是大陆产业界可以好好学习的。 郝跃也不讳言,大陆在大举投入半导体建设的同时,也要注意人才不足的问题。 郝跃早在2000年就投入氮化镓(GaN)半导体材料的研究,在没经费、没基础的情况下,自己做设备并成功开发产品,他带领的团队如今都是大陆半导体业的重要人才。

原文链接:http://www.eeboard.com/news/semiconductor-8/

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