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强强联合 安森美联合Transphorm推出新款GaN晶体管

2015年03月23日 作者: 暂无评论 188+ 0

推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN),和功率转换器专家Transphorm,先前宣布双方建立了合作关系,把基于氮化镓(GaN)的电源方案推出市场,今天美国时间宣布推出联名的NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS)600VGaN共源共栅(cascade)晶体管和使用这些器件的240W参考设计。

ONSemiconductor

安森美半导体电源分立分部副总裁兼总经理PaulLeonard说:“GaN晶体管为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来了性能飞跃。随着更多工程师熟悉氮化镓器件的优势,基于GaN的产品需求将快速增长。安森美半导体和Transphorm正工作于新的发展前沿,并加速市场的广泛采纳。”

两款新品NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS),导通阻抗典型值为150mΩ和290mΩ,采用优化的TO-220封装,易于根据客户现有的制板能力而集成。两款600V产品均已使用JEDEC标准认证并在量产。

NCP1397GANGEVB(TDPS250E2D2)评估板为客户提供完整的参考设计,以实现和评估他们的电源设计中的GaN共源共栅晶体管。该评估板为客户提供比使用传统器件的电源更小的占位面积和更高的能效。升压段提供98%的能效并采用NCP1654功率因数校正控制器。LLCDC-DC段使用NCP1397谐振模式控制器提供97%的满载能效。这性能在以200+千赫兹(kHz)运行时实现,而且显然也能满足EN55022的B类电磁兼容(EMC)性能。完整的文档请从安森美半导体网站获取。

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