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安卓旗舰芯片骁龙855性能评测:也就这样?

2019年01月31日 作者: 暂无评论 666+ 0

上个月初,高通在夏威夷召开的第三届骁龙技术峰会上,正式推出了万众瞩目的骁龙 8 系列旗舰移动芯片 Snapdragon 855。正如大多数机友所知,骁龙 855 将会是 2019 年新一代顶级旗舰智能手机标配的移动芯片。那么,这枚芯片与上一代相比究竟带来怎样的性能改进呢?本月中旬,知名评测站 AnandTech 发布了骁龙 855 芯片的首测报告,我们一同来看看。

在开始性能评测之前,还是要把骁龙 855 的性能参数复习一遍。高通骁龙 855 是一枚 7 纳米工艺八核心设计的芯片,这次高通的核心结构设计主要基于 ARM 的 DynamIQ CPU 集群,具体为 1 大核 + 3 中核 + 4 小核的设计。大核基于 ARM 最新 Cortex-A76 设计,可以提供非常高的峰值性能,3 个中核同样也是 Cortex-A76 定制,4 个小的核心基于 Cortex-A55。

与此同时,与上一代骁龙 845 芯片相比,骁龙 855 并没有大幅提升 CPU 核心的时钟频率。高通强调,自家的 Kryo 485 CPU 集群由于是基于 ARM 最新的 Cortex-A76 进行半定制设计,大内核配备了更大的 512kb 的 L2 缓存,频率达到 2.84GHz 峰值频率,高通称性能相比上一代还是提高了 45%。

骁龙 855 中的三个中核频率为 2.42GHz,并各有 256kb 的 L2 缓存,4 个 1.8GHz 主频小核的每个核心各有 128kb 的 L2 缓存。此外,骁龙 855 还集成了新一代图形处理单元 Adreno 640 GPU,高通官方称能够带来高达 20% 的图形渲染速度提升,同时还能继续保持业界领先水平的每瓦特能效。

AnandTech 这一次拿到手的骁龙 855 设备并非任何一个品牌的零售机型,而是高通所准备的参考设计机型 Snapdragon 855 QRD。经上手,他们认为今年高通 QRD 测试机的设计可能是有史以来最接近于上市新机的一次,外壳更加美观,也更加坚固,让人很难注意到这本是一款参考设备。

 

而在硬件方面的性能表现,高通已经明确表示,任何情况下对 QRD 设备的性能测试结果,都只会是一种接近于正式零售机型的成绩而已,手机厂商真正发布的旗舰机成品将可能与此有明显偏差,因为改进软件底层设计也会对性能有所优化。

AnandTech 称,他们真正对这款高通 QRD 设备的实际设备操作时间是有限的,所以尽管已经进行了大量的测试,但仍会遗漏掉某些测试,因为某些些测试很耗时间,例如 GPU 连续性能测试环节。

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