现在的位置: 首页资讯>正文

复旦大学研制出新型超高导电材料 电导率是石墨烯千倍

2019年03月20日 作者: 暂无评论 149+ 0

3月19日,材料领域国际顶级期刊《自然·材料》,发表复旦大学修发贤团队最新研究论文,《外尔半金属砷化铌纳米带中的超高电导率》,制备出二维体系中具有目前已知最高导电率的外尔半金属材料-砷化铌纳米带。

导电材料是电子工业的基础,现在最主要的材料是铜,已大规模用于晶体管的互连导线。信息时代,计算机和智能设备体积越来越小,信号传输量爆炸式增长,芯片中上千万细如发丝的晶体管互连导线“运送压力”随之加大。而当铜变得很薄,进入二维尺度时,电阻变大,导电性迅速变差,功耗大幅度增加。这也是制约芯片等集成电路技术进一步发展的重要瓶颈。修发贤团队新研制的砷化铌纳米带材料,电导率是铜薄膜的一百倍,石墨烯的一千倍。

复旦大学物理学系教授 修发贤:我们利用了氯化铌,利用了砷还有氢气三种元素把它们放在一起进行化学反应来制备这种砷化铌纳米带,这种材料它表面有一个表面态,这个表面态就允许电子在上面快速地通行,可以说是我们创造了一个绿色的通道,这样的话,在低维尺度下,就可以让电子快速通过而降低能耗。

同时,区别于超导材料只能在零下几十度超低温下应用,新材料砷化铌的高电导机制即使在室温下仍然有效。这一发现也为材料科学寻找高性能导体提供了一个可行思路,在降低电子器件能耗等方面有重大价值。

复旦大学物理学系教授 修发贤:我们的手机发热、电脑发热是有两个原因,晶体管本身的发热和电流流经这些(互连)导线所产生的导线发热,那我们现在要解决的问题就是导线的发热,我们的这个材料就可以在这一方面有所用途。

 

热门推荐:

 

小编推荐活动:

 

邀请您加入爱板工程师群(群号135513647)
更多活动、咨询、技术交流

发表评论

相关文章

中国科学家开创第三类存储技术:写入速度比U盘快1万倍

近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。

减缓有机锂离子电池的锂晶枝生成,这里有招!

拥有高能量密度与高工作电压的锂离子电池是各家首选储能配备,智能手机、电动车到大型储能发电厂都会出会它的身影,但乍看无所不能的电池其实有致命缺点,锂金属在过充或多次循环使用后容易...

石墨烯首次在微重力模拟环境下进行测试

作为科研人员最喜欢的神奇材料,石墨烯在实验室的出镜率、使用率都非常高,但如果把它带到地球之外的地方又会发生什么呢?近日,来自欧洲的一支国际科研团队就做了这样的尝试,他们在微重力...

褶皱石墨烯可大幅提高锂电池的充电性能

Huang副教授称“我们的策略是反向思维,粒子并不互相绑定。当与锂结合时,其仍然构成延续性的可导电材料。当锂分离时,粒子能够重构称另一种延续性的整体的石墨烯粒子层”这样能够极大地提高有...

石墨烯或能开创无线传感应用的新局面

这项研究将导致“未来这一技术可能与其他二维材料相结合的可能性,开创无线传感应用的新局面”。